后摩智能下一代端边芯片：3D CIM存算一体架构（面向高性能边缘盒子）

在 2026 全球 AI 芯片峰会上，后摩智能披露下一代端边旗舰 AI 芯片，采用3D CIM 三维存算一体架构，融合存算核心与 3D DRAM 垂直堆叠技术，主打高性能边缘盒子、本地大模型推理场景，解决传统芯片 “存储墙” 瓶颈。

一、核心技术亮点

1. 3D 垂直堆叠，算力密度翻倍

相比当前量产 M50（2D SRAM 数字 CIM），新一代 3D CIM 把计算阵列和存储层垂直堆叠，同等芯片面积下算力提升至 2 倍，同时优化功耗、散热，适配边缘盒子紧凑机箱空间，适合多路视频、本地大模型 Agent 高并发推理。

现有 M50：INT8 160TOPS，典型功耗 10W，最高 48GB 内存，PCIe4.0+HM-Link 片间互联，已超 150 款产品定点，用于边缘盒子、AI 主机、机器人等。

2. CIM 存算一体底层优势延续并升级

延续后摩SRAM 数字 CIM路线，计算直接在存储单元内完成，大幅减少显存与计算单元之间的数据搬运开销；叠加 3D DRAM 堆叠，带宽、容量同步跃升，适配更大参数模型本地离线推理，保障端边数据不出本地，满足安防、工业、智慧工地等隐私场景。

3. 定位：高性能边缘盒子 + 端边大模型智能体

目标打造具备端侧超实时思考、多轮交互能力的芯片，面向边缘计算盒子、工业边缘服务器、本地 AI Agent 主机；支持多芯互联扩展算力，适合多路视频分析、大模型本地问答、具身机器人等复合任务。

二、与 M50 的代际差异

三、产业意义

传统边缘 AI 盒子最大瓶颈是访存带宽不足，大模型推理卡延迟。3D CIM 把存、算做三维堆叠，从架构层面缓解存储墙。后摩这条路线，是国内少数从2D SRAM CIM 量产芯片向3D 堆叠存算一体演进的端边芯片方案，直接对标边缘盒子、本地大模型硬件赛道，和瑞芯微、算能、力擎等边缘算力芯片形成差异化竞争。

时间节点：该芯片尚处于研发阶段，暂未公布完整规格，计划明年推出。

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